onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH4LN019N
- RS-artikelnummer:
- 221-6708
- Tillv. art.nr:
- NTH4LN019N65S3H
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
301,50 kr
(exkl. moms)
376,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 422 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 301,50 kr |
| 10 - 99 | 259,95 kr |
| 100 + | 225,34 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 221-6708
- Tillv. art.nr:
- NTH4LN019N65S3H
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | NTH4LN019N | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 4 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 19.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal effektförlust Pd | 625W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 282nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 5.2mm | |
| Standarder/godkännanden | These Devices are Pb-Free and are RoHS | |
| Höjd | 22.74mm | |
| Längd | 15.8mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie NTH4LN019N | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 4 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 19.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal effektförlust Pd 625W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 282nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 5.2mm | ||
Standarder/godkännanden These Devices are Pb-Free and are RoHS | ||
Höjd 22.74mm | ||
Längd 15.8mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor SUPERFET III MOSFET har en högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre grindladdningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ger överlägsen omkopplingsprestanda och tål extrema dv/dt-hastigheter.
Ultralåg grindladdning
låg effektiv utgångskapacitans 2495 pF
100 % avalanche-testade
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH4LN019N
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, FCH
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FCH029N
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH027N65S3F
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FCH023N65S3
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247 AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL