onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH027N65S3F
- RS-artikelnummer:
- 172-3437
- Tillv. art.nr:
- NTH027N65S3F-F155
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Få en mängdrabatt
Lägg till 10 till för att spara 351,70 kr
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 1 enhet)*
254,91 kr
(exkl. moms)
318,64 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 01 juli 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Förpackning(ar) | Per förpackning | Besparing |
|---|---|---|
| 1 - 9 | 254,91 kr | - |
| 10 - 99 | 219,74 kr | 351,70 kr |
| 100 + | 190,40 kr | 6 451,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 172-3437
- Tillv. art.nr:
- NTH027N65S3F-F155
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | NTH027N65S3F | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 27.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 595W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 259nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 20.82mm | |
| Längd | 15.87mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.82mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie NTH027N65S3F | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 27.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 595W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 259nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 20.82mm | ||
Längd 15.87mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.82mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Denna PIN-diod är utformad för att förverkliga kompakta och effektiva konstruktioner. Två PIN-dioder ingår i ett SC-70-paket. Användningen av dubbla PIN-dioder kan minska både systemkostnader och kortutrymme. Denna PIN-diod är PPAP-kompatibel för fordonstillämpningar.
PPAP-kompatibel
Lämplig för fordonstillämpningar
Blyfri och halogenfri
Miljööverväganden
Seriekoppling av 2 element i ett litet paket
Förbättrar monteringseffektiviteten avsevärt.
MCP3-kapslingen är stiftkompatibel med SC-70
Ersättning från SC-70 är möjlig
Liten mellanterminalkapacitans (C = 0,23 pF typ)
Lämplig för nivådetektor
Liten framåtriktad serieresistans (rs = 4,5 Ω max)
Lämplig för UHF-band
Automatisk förstärkningskontroll för fordonsradioantenn
Antenn för fordon
Radiomottagare för fordon
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTH027N65S3F
- onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FCH023N65S3
- onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FCH029N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 65 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FCH040N65S3
- onsemi N Kanal, MOSFET, 44 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FCH067N65S3
- onsemi N Kanal, MOSFET, 24 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, FCH
- onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, NTH4LN019N
- onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 4 Ben, TO-247, FCH