onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 186-1497
- Tillv. art.nr:
- NVHL027N65S3F
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 enhet)*
212,24 kr
(exkl. moms)
265,30 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 212,24 kr |
| 10 - 99 | 182,90 kr |
| 100 + | 158,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 186-1497
- Tillv. art.nr:
- NVHL027N65S3F
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 27.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 595W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 227nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 15.87mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 20.82mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 27.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 595W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 227nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 15.87mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 20.82mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Uppfyller ej RoHS
SUPERFET III MOSFET is ON Semiconductor’s brand−new high voltage super−junction (SJ) MOSFET family that is utilizing charge balance technology for outstanding low on−resistance and lower gate charge performance. This advanced technology is tailored to minimize conduction loss, provide superior switching performance, and withstand extreme dv/dt rate. Consequently, SUPERFET III MOSFET is very suitable for the various power systems for miniaturization and higher efficiency. SUPERFET III FRFET MOSFET’s optimized reverse recovery performance of body diode can remove additional component and improve system reliability.
700 V @ TJ = 150°C
Ultra Low Gate Charge (Typ. Qg = 259 nC)
Low Effective Output Capacitance (Typ. Coss(eff.) = 1972 pF)
PPAP Capable
Typ. RDS(on) = 27.4 mΩ
Higher system reliability at low temperature operation
Lower switching loss
PPAP Capable
Applications
HV DC/DC converter
End Products
On Board Charger
DC/DC Converter
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal 75 A 650 V Förbättring TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal 75 A 650 V Förbättring TO-247, NTH4LN019N
- onsemi Typ N Kanal 75 A 650 V Förbättring TO-247, FCH
- onsemi Typ N Kanal 75 A 650 V Förbättring TO-247, FCH029N
- onsemi Typ N Kanal 75 A 650 V Förbättring TO-247, NTH027N65S3F
- onsemi Typ N Kanal 75 A 650 V Förbättring TO-247, FCH023N65S3
- onsemi Typ N Kanal 65 A 650 V Förbättring TO-247 AEC-Q101
- onsemi Typ N Kanal 30 A 650 V Förbättring TO-247 AEC-Q101