onsemi N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- RS-artikelnummer:
- 195-2497
- Tillv. art.nr:
- NTHL027N65S3HF
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
457,18 kr
(exkl. moms)
571,48 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 23 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 228,59 kr | 457,18 kr |
| 20 + | 197,12 kr | 394,24 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 195-2497
- Tillv. art.nr:
- NTHL027N65S3HF
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 75A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-247 | |
| Serie | NTHL | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 27.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 595W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 225nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 20.82mm | |
| Längd | 15.87mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.82mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 75A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-247 | ||
Serie NTHL | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 27.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 595W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 225nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 20.82mm | ||
Längd 15.87mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.82mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
SUPERFET III MOSFET är ON Semiconductors helt nya högspännings-Super-Junction (SJ) MOSFET-familj som använder laddningsbalansteknik för utmärkt låg påslagningsresistans och lägre gate-laddningsprestanda. Denna avancerade teknik är skräddarsydd för att minimera ledningsförluster, ge överlägsen omkopplingsprestanda och motstå extrema dv/dt-hastigheter. Följaktligen är SUPERFET III MOSFET mycket lämplig för de olika kraftsystemen för miniatyrisering och högre effektivitet. SUPERFET III FRFET MOSFET: s optimerade omvända återställningsprestanda för kroppsdioden kan ta bort ytterligare komponenter och förbättra systemets tillförlitlighet.
Relaterade länkar
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 75 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 20 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 65 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 70 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 36 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 46 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL
- onsemi Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, NTHL