Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 77 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 220-7494
- Distrelec artikelnummer:
- 304-39-422
- Tillv. art.nr:
- IRFR3504ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
92,82 kr
(exkl. moms)
116,02 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 11 800 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 + | 9,282 kr | 92,82 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7494
- Distrelec artikelnummer:
- 304-39-422
- Tillv. art.nr:
- IRFR3504ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 77A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 90W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 45nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 77A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 90W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 6.22mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon Strong IRFET power MOSFET-familjen är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Ytmonterad förpackning enligt industristandard
Kisel optimerat för applikationer som växlar nedan <100kHz
Bred tillgänglighet från distributionspartners
Kvalifikationsnivå enligt branschstandard
Standardstiftuttag gör att den kan bytas ut direkt
Hög prestanda i lågfrekventa applikationer
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 77 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 86 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 24 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 42 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 62 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 18 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 31 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 63 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET