Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 77 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 220-7493
- Tillv. art.nr:
- IRFR3504ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (2000 enheter, på en rulle med 2000)*
12 794,00 kr
(exkl. moms)
15 992,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 10 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2000 - 2000 | 6,397 kr | 12 794,00 kr |
| 4000 + | 6,238 kr | 12 476,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 220-7493
- Tillv. art.nr:
- IRFR3504ZTRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET och diod | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 77A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 40V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 9mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 45nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 90W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Höjd | 6.22mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 2.39mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET och diod | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 77A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 40V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 9mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 45nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 90W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Höjd 6.22mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 2.39mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon Strong IRFET power MOSFET-familjen är optimerad för låg RDS(on) och hög strömkapacitet. Enheterna är idealiska för lågfrekvensapplikationer som kräver prestanda och robusthet. Den omfattande portföljen täcker ett brett spektrum av applikationer, inklusive likströmsmotorer, batterihanteringssystem, växelriktare och DC-DC-omvandlare.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Ytmonterad förpackning enligt industristandard
Kisel optimerat för applikationer som växlar nedan <100kHz
Bred tillgänglighet från distributionspartners
Kvalifikationsnivå enligt branschstandard
Standardstiftuttag gör att den kan bytas ut direkt
Hög prestanda i lågfrekventa applikationer
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 77 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 42 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 86 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 24 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 62 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 45 A 75 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 99 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET
- Infineon N Kanal, MOSFET, 160 A 30 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET