Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 219-5999
- Tillv. art.nr:
- IPN80R600P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (10 enheter, i en förpackning med 10)*
136,86 kr
(exkl. moms)
171,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 4 460 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 13,686 kr | 136,86 kr |
| 50 - 90 | 13,014 kr | 130,14 kr |
| 100 - 240 | 12,443 kr | 124,43 kr |
| 250 - 490 | 11,906 kr | 119,06 kr |
| 500 + | 11,077 kr | 110,77 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 219-5999
- Tillv. art.nr:
- IPN80R600P7ATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 8A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 600mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.9V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 20nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 7.4W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.7mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 8A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 600mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.9V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 20nC | ||
Maximal effektförlust Pd 7.4W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.8mm | ||
Bredd 3.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.7mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 800 V CoolMOS P7 superjunction MOSFET-serie passar perfekt för SMPS-tillämpningar med låg effekt genom att helt uppfylla marknadens behov i prestanda, användarvänlighet och pris/prestanda-förhållande. Den fokuserar främst på flyback-tillämpningar inklusive adapter och laddare, LED-drivare, ljud-SMPS, AUX och industriell strömförsörjning. Denna nya produktfamilj erbjuder en effektivitetsförstärkning på upp till 0,6 % och 2 °C till 8 °C lägre MOSFET-temperatur jämfört med sin föregångare samt med konkurrerande delar som testats i typiska flyback-tillämpningar. Det möjliggör också designer med högre effekttäthet genom lägre omkopplingsförluster och bättre DPAK R DS(on)-produkter. Sammantaget hjälper det kunder att spara BOM-kostnader och minska monteringsansträngningen.
Enkel att driva och designa i
Bättre produktionsutbyte genom att minska ESD-relaterade fel
Färre produktionsproblem och minskad fältretur
Enkelt att välja rätt delar för finjustering av konstruktioner
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 800V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 950 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 16 A 650 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 700V CoolMOS P7