Infineon N Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS P7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (25 enheter, i en förpackning med 25)*

170,03 kr

(exkl. moms)

212,52 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 1006,801 kr170,03 kr
125 - 2256,46 kr161,50 kr
250 - 6006,187 kr154,68 kr
625 - 12255,914 kr147,85 kr
1250 +4,758 kr118,95 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
219-5997
Tillv. art.nr:
IPN80R4K5P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

1.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

800V

Serie

CoolMOS P7

Kapseltyp

SOT-223

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

450mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4nC

Maximal effektförlust Pd

6W

Framåtriktad spänning Vf

900mV

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.7mm

Höjd

1.8mm

Bredd

3.7mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon CoolMOS P7-serien MOSFET, 800 V maximal drain-källspänning, 1,5 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPN80R4K5P7ATMA1


Denna MOSFET är en högspänningsswitchtransistor som är utformad för ytmonterad strömomvandling och styrningsuppgifter. Den fungerar tillförlitligt över ett brett omgivningsområde och är avsedd för användning där robust spänningsblockering och måttlig kontinuerlig strömkapacitet krävs.

Funktioner och fördelar:


• 800 V drain-source-klassning möjliggör högspänningstillämpningar
• 450 mΩ RDS(on) begränsar ledningsförluster vid omkoppling
• 4 nC typisk grindladdning minskar drivenergikrav
• Kontinuerlig dräneringsström på 1.5 A med stöd för stabila laster
• Maximal effektförlust på 6 W hanterar termisk påfrestning under drift
• ±20 V gate-tolerans möjliggör standard gate-driven spänning

Användningsområden


• Lämplig för offline-nätaggregat som hanterar höga spänningar
• Idealisk för boostomvandlare i industriella system
• Används för switchade effektsteg med måttliga strömmar
• Kan användas för halvledartestare som kräver 800 V
• Används med ytmonteringsenheter på Compact Power-kort

I vilka omgivningstemperaturer kan den användas?


Den fungerar i ett brett temperaturområde från -55 °C till 150 °C, vilket ger lämplighet för svåra termiska miljöer.

Hur påverkar förpackningen den termiska prestandan?


SOT‐223-paketet för ytmontering erbjuder ett litet fotavtryck samtidigt som det möjliggör värmeavledning som är kompatibel med en maximal effektförlust på 6 W när det är korrekt monterat.

Vilka grinddrivare krävs?


Enheten accepterar upp till ±20 V mellan grind och källa och behöver vanligtvis drivenergi motsvarande en total grindladdning på 4 nC för snabb omkoppling.

Vilken omkopplingstopologi drar mest nytta av dess egenskaper?


Högspänningsförstärkning av N-kanal gör den lämplig för topologier som kräver 800 V blockering med måttlig kontinuerlig strömhantering.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.