Infineon N Kanal, MOSFET, 8.5 A 700 V, 3 Ben, SOT-223, 700V CoolMOSª P7

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

8 748,00 kr

(exkl. moms)

10 935,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30002,916 kr8 748,00 kr
6000 +2,771 kr8 313,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
218-3064
Tillv. art.nr:
IPN70R600P7SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.5A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Serie

700V CoolMOSª P7

Kapseltyp

SOT-223

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

600mΩ

Maximal effektförlust Pd

6.9W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10.5nC

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16V

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

3.7mm

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.7mm

Höjd

1.8mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon 700 V CoolMOSTM N-kanals effekt-MOSFET. Den senaste CoolMOSTM P7 är en optimerad plattform som är skräddarsydd för kostnadskänsliga tillämpningar på konsumentmarknader som laddare, adaptrar, belysning, TV, etc. Den nya serien ger alla fördelar med en snabb switching Superjunction MOSFET, kombinerat med ett utmärkt pris-prestanda-förhållande och toppmodern användarvänlighet.

Extremt låga förluster tack vare mycket låg FOM RDS(on)*Qg och RDS(on)*Eoss

Utmärkt termiskt beteende

Integrerad ESD-skyddsdiod

Låga omkopplingsförluster (Eoss)

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.