Infineon N Kanal, MOSFET, 2.2 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE
- RS-artikelnummer:
- 214-4379
- Tillv. art.nr:
- IPD50R2K0CEAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 50 enheter)*
249,30 kr
(exkl. moms)
311,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 2 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 4,986 kr | 249,30 kr |
| 100 - 200 | 3,642 kr | 182,10 kr |
| 250 - 450 | 3,443 kr | 172,15 kr |
| 500 - 1200 | 3,19 kr | 159,50 kr |
| 1250 + | 2,946 kr | 147,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-4379
- Tillv. art.nr:
- IPD50R2K0CEAUMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | 500V CoolMOS CE | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 33W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 830mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.65mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.42mm | |
| Höjd | 2.35mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie 500V CoolMOS CE | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 33W | ||
Framåtriktad spänning Vf 830mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.65mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.42mm | ||
Höjd 2.35mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Denna Infineon 500 V Cool MOS CE MOSFET är en prisoptimerad plattform som gör det möjligt att rikta kostnadskänsliga tillämpningar på konsument- och belysningsmarknader genom att fortfarande uppfylla högsta effektivitetsstandarder.
Det ger mycket hög kommutationshållbarhet
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.2 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.8 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 14.1 A 550 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.7 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4.8 A 500 V N, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE