Infineon N Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 217-2486
- Tillv. art.nr:
- IPA65R1K0CEXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
202,25 kr
(exkl. moms)
252,80 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 600 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 4,045 kr | 202,25 kr |
| 100 - 200 | 3,936 kr | 196,80 kr |
| 250 - 450 | 3,833 kr | 191,65 kr |
| 500 - 1200 | 3,734 kr | 186,70 kr |
| 1250 + | 3,64 kr | 182,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2486
- Tillv. art.nr:
- IPA65R1K0CEXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 650V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1Ω | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal effektförlust Pd | 68W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 29.75mm | |
| Längd | 10.65mm | |
| Bredd | 4.9mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 650V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1Ω | ||
Kanalläge N | ||
Maximal effektförlust Pd 68W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 29.75mm | ||
Längd 10.65mm | ||
Bredd 4.9mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS är en revolutionerande teknik för MOSFET:er för högspänningseffekt, utformad enligt super junction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon Technologies. CoolMOS CE är en pris- och prestandaoptimerad plattform som gör det möjligt att rikta in sig på kostnadskänsliga applikationer på konsument- och belysningsmarknaderna samtidigt som den uppfyller de högsta effektivitetsstandarderna. Den nya serien ger alla fördelar med en snabbkopplande Superjunction MOSFET utan att göra avkall på användarvänligheten och erbjuder det bästa förhållandet mellan kostnad och prestanda på marknaden.
Extremt låga förluster på grund av mycket låga FOMRds på*Qg och Eoss
Mycket hög robusthet vid pendling
Lätt att använda/köra
Pb-fri plätering, halogenfri formförening
Kvalificerad för applikationer av standardkvalitet
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.2 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 15.1 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, 650V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 37.9 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 31 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS