Infineon N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 218-3005
- Tillv. art.nr:
- IPA60R280P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
155,46 kr
(exkl. moms)
194,325 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 16 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 10,364 kr | 155,46 kr |
| 75 - 135 | 9,849 kr | 147,74 kr |
| 150 - 360 | 9,438 kr | 141,57 kr |
| 375 - 735 | 9,02 kr | 135,30 kr |
| 750 + | 8,639 kr | 129,59 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3005
- Tillv. art.nr:
- IPA60R280P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 280mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 280mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOSTM P7-serien N-kanals effekt-MOSFET. CoolMOSTM 7: e generationens plattform är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt superjunction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon Technologies. 600 V CoolMOSTM P7 superjunction MOSFET är efterföljaren till 600 V CoolMOSTM P6-serien. Den fortsätter att balansera behovet av hög effektivitet mot användarvänlighet i designprocessen.
Lämplig för hård och mjuk omkoppling (PFC och LLC) på grund av enastående kommuteringstålighet
Betydande minskning av omkopplings- och ledningsförluster
>
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 76 A 600 V, 3 Ben, TO-247, 600V CoolMOS P7