Infineon N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- RS-artikelnummer:
- 218-3004
- Tillv. art.nr:
- IPA60R280P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rör med 50 enheter)*
518,90 kr
(exkl. moms)
648,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 27 april 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rör* |
|---|---|---|
| 50 - 50 | 10,378 kr | 518,90 kr |
| 100 - 200 | 9,345 kr | 467,25 kr |
| 250 - 450 | 9,101 kr | 455,05 kr |
| 500 - 950 | 8,868 kr | 443,40 kr |
| 1000 + | 8,646 kr | 432,30 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 218-3004
- Tillv. art.nr:
- IPA60R280P7SXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | 600V CoolMOS P7 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 280mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal effektförlust Pd | 24W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 30V | |
| Maximal arbetstemperatur | +150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie 600V CoolMOS P7 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 280mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal effektförlust Pd 24W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 30V | ||
Maximal arbetstemperatur +150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 600 V CoolMOS P7-serien MOSFET, 600 V drain-källspänning, 12 A kontinuerlig drain-ström – IPA60R280P7SXKSA1
Denna MOSFET är en strömomkopplande N-kanalstransistor utformad för genomgående hålmontering i TO-220-kapslar och avsedd för högspänningstillämpningar. Den fungerar i ett brett omgivningsområde och är lämplig där kontrollerad omkoppling av betydande avtappningsström krävs. Enheten accepterar gate-drivningsspänningar upp till specificerade gränser och erbjuder måttliga ledningsförluster för effektiva omkopplingsuppgifter.
Funktioner och fördelar:
• 600 V avtappningsklassning möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 12 A stöder hållbar belastningshantering
• 280 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• Maximal effektförlust på 24 W hanterar termisk belastning under användning
• 30 V grindtolerans möjliggör robust grinddrivarflexibilitet
• 0,9 V framspänning sänker spänningsfallet i ledande tillstånd
• Kontinuerlig dräneringsström på 12 A stöder hållbar belastningshantering
• 280 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster under drift
• Maximal effektförlust på 24 W hanterar termisk belastning under användning
• 30 V grindtolerans möjliggör robust grinddrivarflexibilitet
• 0,9 V framspänning sänker spänningsfallet i ledande tillstånd
Användningsområden
• Passar för strömomvandlare i högspänningssystem
• Idealisk för switchade nätaggregat som kräver montering med genomgående hål
• Används för motordrivningsstegen med medelstora strömkrav
• Kan användas för industriella omkopplingskretsar vid förhöjda temperaturer
• Lämplig för prototypkort som behöver enkelt byta komponenter
• Idealisk för switchade nätaggregat som kräver montering med genomgående hål
• Används för motordrivningsstegen med medelstora strömkrav
• Kan användas för industriella omkopplingskretsar vid förhöjda temperaturer
• Lämplig för prototypkort som behöver enkelt byta komponenter
Vilka extrema temperaturer tål den under drift?
Den är klassad för drift från -40 °C upp till +150 °C.
Hur monteras den på ett kretskort?
Enheten använder ett ledningsformat med genomgående hål i en TO-220-kapsel för säker montering.
Vilken typ av kanal och ledningsläge använder den?
Den använder en N-kanalkonfiguration som fungerar i standardförbättringsläge.
Vad är den rekommenderade användningen när det gäller fordonskvalificering?
Det är inte specificerat att uppfylla fordonsstandarder och bör utvärderas innan fordonet används.
Vilka begränsningsspänningar måste iakttas för säker drift?
Drain-to-source-spänningen får inte överstiga 600 V och gate-to-source-spänningen måste ligga inom ±30 V.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 48 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, 600V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 18 A 600 V, 3 Ben, TO-247, 600V CoolMOS P7
