Infineon N Kanal, MOSFET, 17 A 30 V N, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS 5

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
218-2984
Tillv. art.nr:
BSZ0589NSATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

17A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Kapseltyp

TSDSON

Serie

OptiMOS 5

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

4.4mΩ

Kanalläge

N

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

5.2nC

Framåtriktad spänning Vf

1.1V

Maximal effektförlust Pd

2.1W

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal arbetstemperatur

150°C

Höjd

1.1mm

Längd

3.4mm

Bredd

3.4mm

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineon N-kanals effekt-MOSFET. Denna MOSFET är optimerad för högpresterande trådlös laddare.

Låg FOMSW för högfrekventa SMPS

Mycket låg påslagningsresistans RDS(on) @ VGS=4,5 V

100 % avalanche-testade

Överlägsen värmebeständighet

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.