Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 60 V N, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 218-2985
Tillv. art.nr:: BSZ099N06LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 46 A 60 V N, 8 Ben, TSDSON, OptiMOS

Antal (1 rulle med 5000 enheter)*

16 250,00 kr

(exkl. moms)

20 300,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 30 september 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
5000 +	3,25 kr	16 250,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 218-2985
Tillv. art.nr:: BSZ099N06LS5ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	46A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	TSDSON
	Serie	OptiMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	8
	Maximal drain-källresistans Rds	9.9mΩ
	Kanalläge	N
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	6.9nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal effektförlust Pd	36W
	Framåtriktad spänning Vf	1.1V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	3.4mm
	Höjd	1.1mm
	Längd	3.4mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 46A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp TSDSON
	Serie OptiMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 8
	Maximal drain-källresistans Rds 9.9mΩ
	Kanalläge N
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.9nC
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal effektförlust Pd 36W
	Framåtriktad spänning Vf 1.1V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 3.4mm
	Höjd 1.1mm
	Längd 3.4mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - BSZ099N06LS5ATMA1

Infineon OptiMOS-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 46 A maximal kontinuerlig drain-ström – BSZ099N06LS5ATMA1

Denna MOSFET är en strömomkopplande transistor som är utformad för N-kanaltillämpningar med hög strömstyrka i kompakta ytmonterade enheter, fungerar över ett brett temperaturområde och ger kontrollerad gate-drivning för snabba omkopplingsuppgifter.

Funktioner och fördelar:

• 60 V avtappningsklassning möjliggör medelspänningsomkopplingskapacitet
• Kontinuerlig dräneringsström på 46 A stöder hög strömförsörjning
• 9,9 mΩ RDS(on) minimerar ledningsförluster vid nominell ström
• Maximal förlust på 36 W möjliggör betydande effekthantering
• 6,9 nC typisk grindladdning minskar behovet av omkopplingsenergi
• 20 V gate-tolerans möjliggör robusta gate-drivmarginaler

Användningsområden

• Lämplig för DC/DC-omvandlare i kompakta nätaggregat
• Idealisk för högströms synkrona likriktningsstegen
• Används för omkopplingselement med halvbrygga för motordrivning
• Kan användas för strömhantering inom industriell elektronik
• Lämplig för ytmonteringsenheter som kräver små fotavtryck

Vilket förpacknings- och monteringstyp använder den?

Den levereras i en TSDSON-kapsel utformad för ytmontering.

Vilken termisk prestanda förväntas över hela arbetsområdet?

Den fungerar från -55 °C upp till 150 °C, vilket möjliggör användning i miljöer med breda temperaturer.

Hur påverkar grindladdningen omkopplingsprestanda?

En typisk grindladdning på 6,9 nC minskar drivenergin och stöder snabbare övergångar.

Vilken grind-källspänning bör observeras för säker drift?

Gate-källspänningen får inte överstiga 20 V för att undvika skador på enheten.

Vad är enhetskanalens konfiguration?

Enheten använder en N-typ-kanal i förstärkningsläge för standard MOSFET-omkoppling.