Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 142 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, OptiMOS
- RS-artikelnummer:
- 273-5246
- Tillv. art.nr:
- BSZ0901NSIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
54,54 kr
(exkl. moms)
68,175 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 95 enhet(er) från den 31 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 10,908 kr | 54,54 kr |
| 50 - 495 | 9,14 kr | 45,70 kr |
| 500 - 995 | 7,796 kr | 38,98 kr |
| 1000 - 2495 | 7,684 kr | 38,42 kr |
| 2500 + | 7,548 kr | 37,74 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 273-5246
- Tillv. art.nr:
- BSZ0901NSIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 142A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | PG-TSDSON-8FL | |
| Serie | OptiMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.1mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 41nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 69W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 142A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp PG-TSDSON-8FL | ||
Serie OptiMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.1mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 41nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 69W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden DIN IEC 68-1: 55/175/56, IEC61249-2-21, RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons MOSFET är en N-kanals effekt-MOSFET. Denna MOSFET har en integrerad monolitisk Schottky-liknande diod. Den är kvalificerad enligt JEDEC för måltillämpningar och är 100 procent avalanchetestad. Optimerad SyncFET för högpresterande Buck-omvandlare.
Halogenfria
RoHS-kompatibel
Blyplätering utan bly
Mycket lågt motstånd vid påverkan
Överlägsen värmebeständighet
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 142 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 106 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, OptiMOS
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -19.5 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, OptiMOS Power Transistor
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Typ N Kanal, OptiMOSTM effekt-MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 26 A 200 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Typ N Kanal, Effekttransistor, 54 A 135 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8FL, ISZ
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 24 A 120 V Förbättring, 8 Ben, PG-TSDSON-8, OptiMOS 6 Power Transistor