Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 85 A 150 V, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9433
- Tillv. art.nr:
- IRFS4321TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
84,90 kr
(exkl. moms)
106,12 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 716 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 42,45 kr | 84,90 kr |
| 20 - 48 | 38,08 kr | 76,16 kr |
| 50 - 98 | 35,73 kr | 71,46 kr |
| 100 - 198 | 33,15 kr | 66,30 kr |
| 200 + | 30,97 kr | 61,94 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9433
- Tillv. art.nr:
- IRFS4321TRLPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 85A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 150V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 15mΩ | |
| Maximal effektförlust Pd | 330W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.3V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 71nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 85A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 150V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Maximal drain-källresistans Rds 15mΩ | ||
Maximal effektförlust Pd 330W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.3V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 71nC | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRFS-serie är en 150 V HEXFET-effektmosfet med en n-kanal i en D2 Pak-kapsel.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Optimerad för 10 V gate-drivspänning (kallas normal nivå)
Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard
Paket med hög strömförande kapacitet (upp till 195 A, beroende på stamstorlek)
Kan våglödas
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 85 A 150 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 150 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 150 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 105 A 150 V Förbättring, 7 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 33 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 13 A 150 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 85 A 55 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 195 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET AEC-Q101
