Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 200 V, TO-263, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 257-9428
- Tillv. art.nr:
- IRFS38N20DTRLP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 2 enheter)*
69,26 kr
(exkl. moms)
86,58 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 634 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 2 - 18 | 34,63 kr | 69,26 kr |
| 20 - 48 | 31,165 kr | 62,33 kr |
| 50 - 98 | 29,125 kr | 58,25 kr |
| 100 - 198 | 26,975 kr | 53,95 kr |
| 200 + | 25,245 kr | 50,49 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 257-9428
- Tillv. art.nr:
- IRFS38N20DTRLP
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 43A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 200V | |
| Kapseltyp | TO-263 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 54mΩ | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.5V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 60nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 320W | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 43A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 200V | ||
Kapseltyp TO-263 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Maximal drain-källresistans Rds 54mΩ | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.5V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 60nC | ||
Maximal effektförlust Pd 320W | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons IRFS-serie är en 200 V IR-mosfet med en n-kanal i en D2 Pak-kapsel.
Plan cellstruktur för bred SOA
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Kisel optimerat för applikationer som växlar under 100 kHz
Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard
Paket med hög strömförande kapacitet (upp till 195 A, beroende på stamstorlek)
Kan våglödas
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 200 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 150 V, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 43 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 64 A 55 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 120 A 75 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 100 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 88 A 100 V, TO-263, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 270 A 60 V, TO-263, HEXFET