Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 217-2615
- Tillv. art.nr:
- IRFH8334TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 217-2615
- Tillv. art.nr:
- IRFH8334TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 44A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | PQFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.5mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.1nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 3.2W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.02mm | |
| Höjd | 1.17mm | |
| Bredd | 4.98mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 44A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp PQFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.5mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.1nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 3.2W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.02mm | ||
Höjd 1.17mm | ||
Bredd 4.98mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 30 V HEXFET-effekt-MOSFET med enkel N-kanal i ett 5 mm x 6 mm PQFN-paket.
Optimerad för bredast möjliga tillgänglighet från distributionspartners
Produktkvalificering enligt JEDEC-standard
Optimerad för 5 V gate-drivspänning (kallas logisk nivå)
Ytmonterat kraftpaket enligt industristandard
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 44 A 150 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 82 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 80 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 25 V Förbättring, 4 Ben, PQFN, HEXFET
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET och diod, 8.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PQFN, HEXFET