Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 34 A 200 V Förbättring, 8 Ben, SuperSO, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 4000 enheter)*

27 936,00 kr

(exkl. moms)

34 920,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 4 000 enhet(er) från den 27 april 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
4000 +6,984 kr27 936,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2608
Tillv. art.nr:
IRFH5020TRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

34A

Maximal källspänning för dränering Vds

200V

Kapseltyp

SuperSO

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

55mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

34nC

Maximal effektförlust Pd

3.6W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

RoHS

Höjd

0.9mm

Längd

5mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 200V Single N-Channel HEXFET Power MOSFET in a 5mm X 6mm PQFN package.

Optimized for broadest availability from distribution partners

Product qualification according to JEDEC standard

Normal level : Optimized for 10 V gate drive voltage

Industry standard surface-mount power package

Relaterade länkar