Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

4 644,00 kr

(exkl. moms)

5 805,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 +1,548 kr4 644,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2544
Tillv. art.nr:
IPN70R1K4P7SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

IPN

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.4Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.7nC

Maximal effektförlust Pd

6.2W

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.8mm

Längd

6.7mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon CoolMOS™ P7 superjunction (SJ) MOSFET is designed to address typical challenges in the low power SMPS market, by offering excellent performance and ease-of-use, enabling improved form factors and price competitiveness. The SOT-223 package is a cost effective one-to-one drop-in alternative to DPAK that also enables footprint reduction in some designs. It can be placed on a typical DPAK footprint and shows comparable thermal performance. This combination makes CoolMOS™ P7 in SOT-223 a perfect fit for its target applications.

Best-fit performance superjunction technology

Cost-effective package solution

Best-in-class price/performance ratio

Relaterade länkar