Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 rulle med 3000 enheter)*

6 981,00 kr

(exkl. moms)

8 727,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 3 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per rulle*
3000 - 30002,327 kr6 981,00 kr
6000 +2,211 kr6 633,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
217-2544
Tillv. art.nr:
IPN70R1K4P7SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

4A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Serie

IPN

Kapseltyp

SOT-223

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.4Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Framåtriktad spänning Vf

900mV

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.7nC

Maximal effektförlust Pd

6.2W

Maximal spänning för grindkälla Vgs

30V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Bredd

3.7mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.8mm

Längd

6.7mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon IPN-serien MOSFET, 700 V maximal drain-källspänning, 4 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPN70R1K4P7SATMA1


Denna MOSFET är en högspännings-N-kanalsomkopplingsenhet som är utformad för ytmonteringstillämpningar i industriella termiska miljöer. Den är avsedd för att styra strömmen i kretsar som kräver en förstärkningstransistor som kan hantera höga dränerings-till-källspänningar och kontinuerlig ström samtidigt som den drivs över ett brett temperaturområde.

Funktioner och fördelar:


• Klassning för 700 V avtappning-till-källa möjliggör högspänningsswitchning
• 4 A kontinuerlig dräneringsström stöder måttliga belastningsströmmar
• 1.4 Ω Rds(on) minskar ledningsförluster under belastning
• 6.2 W effektförlust möjliggör hållbar hantering av termisk belastning
• 30 V gate-tolerans ger robust gate-drivmarginal
• 4.7 nC typisk grindladdning minimerar omkopplingsenergi

Användningsområden


• Lämplig för högspänningsomkopplingskretsar i strömförsörjningar
• Idealisk för motordrivningssteg med medelstor effekt med ytmontering
• Används för flyback- och boostomvandlarelement
• Kan användas för kontrollerad lastväxling i industriell utrustning
• Lämplig för kretsar som kräver drift inom ett brett temperaturområde

Vilka extrema temperaturer tål den i drift?


Den fungerar tillförlitligt från -40 °C upp till 150 °C.

Hur många anslutningsstift finns tillgängliga för layoutöverväganden?


Enheten levereras med tre elektriska terminaler för kretskortsmontering.

Vilken typ av förpackning bör specificeras för ytmontering?


Den använder ett SOT-223-paket som är lämpligt för ytmonterade lödprocesser.

Vad är det typiska framsteg om den integrerade dioden leder?


Enheten uppvisar en framåtvänd spänning på 0,9 V när den inneboende dioden leder.

Hur påverkar grindladdningen omkopplingsprestanda?


En typisk grindladdning på 4,7 nC begränsar grinddrivarenergi och påverkar växlingshastighet och förluster.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.