Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 9.4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 25 enheter)*

137,30 kr

(exkl. moms)

171,625 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 4 500 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
25 - 1005,492 kr137,30 kr
125 - 2254,122 kr103,05 kr
250 - 6003,902 kr97,55 kr
625 - 12253,633 kr90,83 kr
1250 +3,351 kr83,78 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4687
Tillv. art.nr:
IPN70R1K2P7SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

9.4A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

CoolMOS

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

1.2Ω

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

0.9V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

4.8nC

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal effektförlust Pd

6.3W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.7mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

1.8mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon design of Cool MOS™ is a revolutionary technology for high voltage power MOSFETs, designed according to the super junction (SJ) principle and pioneered by Infineon Technologies. The latest Cool MOS™ P7 is an optimized platform tailored to target cost sensitive applications in consumer markets such as charger, adapter, lighting, TV, etc.

Product validation acc. JEDEC Standard

Low switching losses (Eoss) Integrated ESD protection diode

Excellent thermal behaviour

Relaterade länkar