Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 222-4687
- Tillv. art.nr:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
210,10 kr
(exkl. moms)
262,63 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 4 500 enhet(er) från den 16 oktober 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 8,404 kr | 210,10 kr |
| 125 - 225 | 6,308 kr | 157,70 kr |
| 250 - 600 | 5,967 kr | 149,18 kr |
| 625 - 1225 | 5,56 kr | 139,00 kr |
| 1250 + | 5,125 kr | 128,13 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 222-4687
- Tillv. art.nr:
- IPN70R1K2P7SATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 9.4A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 700V | |
| Kapseltyp | SOT-223 | |
| Serie | CoolMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 1.2Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 6.3W | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 4.8nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 16V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 900mV | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 6.7mm | |
| Höjd | 1.8mm | |
| Bredd | 3.7mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 9.4A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 700V | ||
Kapseltyp SOT-223 | ||
Serie CoolMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 1.2Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal effektförlust Pd 6.3W | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.8nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V | ||
Framåtriktad spänning Vf 900mV | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 6.7mm | ||
Höjd 1.8mm | ||
Bredd 3.7mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons design av Cool MOSTM är en revolutionerande teknik för högspänningseffekts-MOSFET, utformad enligt super junction (SJ)-principen och banbrytande av Infineon Technologies. Den senaste Cool MOSTM P7 är en optimerad plattform som är skräddarsydd för kostnadskänsliga tillämpningar på konsumentmarknader som laddare, adapter, belysning, TV, etc.
Produktvalidering enligt JEDEC-standard
Låga omkopplingsförluster (Eoss) Integrerad ESD-skyddsdiod
Utmärkt termiskt beteende
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 9.4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 3 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 12.5 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, 700V CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET och diod, 9.4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-251, CoolMOS P7
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 1.9 A 800 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, CoolMOS