Infineon N Kanal, MOSFET, 3 A 700 V Förbättring, 3 Ben, SOT-223, IPN70R

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriser

Antal (1 förpackning med 50 enheter)*

280,90 kr

(exkl. moms)

351,10 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 750 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
50 - 505,618 kr280,90 kr
100 - 2004,269 kr213,45 kr
250 - 4503,989 kr199,45 kr
500 - 12003,707 kr185,35 kr
1250 +3,425 kr171,25 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
222-4922
Tillv. art.nr:
IPN70R2K0P7SATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

3A

Maximal källspänning för dränering Vds

700V

Kapseltyp

SOT-223

Serie

IPN70R

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

2Ω

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

3.8nC

Minsta arbetsstemperatur

-40°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

16V

Framåtriktad spänning Vf

900mV

Maximal effektförlust Pd

6W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.7mm

Höjd

1.8mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

3.7mm

Fordonsstandard

Nej

Infineon IPN70R-serien MOSFET, 700 V maximal drain-källspänning, 3 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPN70R2K0P7SATMA1


Denna MOSFET är en högspänningsförstärkare med N-kanal som är utformad för ytmonterad effektomkoppling i kretsar som kräver förhöjda drain-source-spänningar. Den fungerar i ett brett temperaturområde och är avsedd för tillämpningar där kontrollerad grinddrivning och effektförlusthantering är viktiga.

Funktioner och fördelar:


• 700 V drain-source-klassning möjliggör högspänningskopplingskapacitet
• Kontinuerlig dräneringsström på 3 A stöder måttliga strömbelastningar
• Maximal RDS(on) på 2 Ω minskar ledningsförluster vid lätta belastningar
• 3,8 nC typisk grindladdning minimerar omkopplingsenergi
• Maximal gränssnittsgräns på 16 V möjliggör standardgrindstyrningsnivåer
• Maximal effektförlust på 6 W underlättar värmehantering i SOT-223

Användningsområden


• Lämplig för strömförsörjningar som kräver högspänningsswitchar
• Idealisk för switch-mode-regulatorer med måttliga strömkrav
• Används för omkoppling på linjesidan i industriell styrutrustning
• Kan användas för belysningsdrivare som drivs med hög spänning
• Används med ytmonterade enheter där kompakt ström krävs

Vilka omgivningstemperaturer tål den under drift?


Den är specificerad för att fungera ned till −40 °C och upp till 150 °C.

Hur påverkar förpackningen monteringen och den termiska vägen?


SOT-223-kapseln är avsedd för ytmontering och ger en värmebana som är lämplig för dess 6 W avledningsförmåga.

Vilka överväganden om grinddrivning krävs för säker drift?


Grindspänningen får inte överstiga 16 V och bör styras för att uppnå önskad förstärkning av ledningen samtidigt som grindladdningen på 3,8 nC respekteras.

Hur ska konstruktörer ta hänsyn till ledningsförluster vid nominell ström?


Använd det maximala drain-source-motståndet på 2 Ω för att uppskatta konduktionsförluster i värsta fall vid kontinuerliga strömmar upp till 3 A.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.