Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

RS-artikelnummer:: 217-2535
Tillv. art.nr:: IPD95R450P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 14 A 950 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

27 375,00 kr

(exkl. moms)

34 225,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

Tillfälligt slut

Leverans från den 18 februari 2027

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	10,95 kr	27 375,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 217-2535
Tillv. art.nr:: IPD95R450P7ATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	14A
	Maximal källspänning för dränering Vds	950V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	IPD
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	450mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	35nC
	Framåtriktad spänning Vf	0.9V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	104W
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Standarder/godkännanden	No
	Bredd	6.22mm
	Höjd	2.41mm
	Längd	6.73mm
	Fordonsstandard	AEC-Q101

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 14A
	Maximal källspänning för dränering Vds 950V
	Kapseltyp TO-252
	Serie IPD
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 450mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 35nC
	Framåtriktad spänning Vf 0.9V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 104W
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Standarder/godkännanden No
	Bredd 6.22mm
	Höjd 2.41mm
	Längd 6.73mm
	Fordonsstandard AEC-Q101

Datasheet - IPD95R450P7ATMA1

Infineon IPD-serien MOSFET, 950 V drain source-spänning, 14 A kontinuerlig drain-ström – IPD95R450P7ATMA1

Denna MOSFET är en högspännings-N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för omkopplings- och strömhanteringsroller i krävande elektriska system. Den fungerar över ett brett temperaturområde för industri- och fordonssammanhang och levereras i ett TO-252-paket för ytmontering för kompakt integrering på kortnivå.

Funktioner och fördelar:

• 950 V drain-source-klassning möjliggör högspänningskopplingskapacitet
• 14 A kontinuerlig avtappningsström för hållbar lasthantering
• 104 W effektförlust för att hantera termisk påfrestning under belastning
• 450 mΩ RDS(on) minskar ledningsförluster under drift
• 35 nC typisk grindladdning möjliggör förutsägbart omkopplingsbeteende
• 20 V maximal gate-källspänning med stöd för robust gate-drivning

Användningsområden

• Lämplig för högeffektsomvandlingsfaser
• Idealisk för fordonsdelsystem som uppfyller AEC-Q101-kraven
• Används med switchade nätaggregat som hanterar förhöjda spänningar
• Kan användas för industriella motorstyrningsgränssnitt
• Används för DC/DC-omvandlare som kräver en ytmonterad formfaktor

Inom vilket temperaturintervall kan den användas på ett tillförlitligt sätt?

Den är klassad för kontinuerlig användning från −55 °C till 150 °C.

Hur många stift har enheten för kretskortsrouting?

Komponenten har tre elektriska anslutningar för grind, dränering och källa.

Vilken monteringsmetod krävs för montering?

Den är avsedd för ytmontering på lämpliga lödplattor.

Vilken är framåtvänd spänning hos den inneboende kroppsdioden?

Diodens framspänning är specificerad som 0,9 V.