Infineon N Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 217-2531
- Tillv. art.nr:
- IPD80R2K7C3AATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*
14 750,00 kr
(exkl. moms)
18 450,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 + | 5,90 kr | 14 750,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2531
- Tillv. art.nr:
- IPD80R2K7C3AATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 2A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Serie | IPD | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.7Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 42W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -40°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.73mm | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 2A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Serie IPD | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.7Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12nC | ||
Maximal effektförlust Pd 42W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Minsta arbetsstemperatur -40°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6.22mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.73mm | ||
Höjd 2.41mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon CoolMOSTM C3A-tekniken har utformats för att möta de växande kraven på högre systemspänningar inom elfordon, som PHEV och BEV.
Klassens bästa kvalitet och tillförlitlighet
Högre genombrottsspänning
Hög toppströmskapacitet
Godkänd enligt AEC Q101 för fordon
Grön förpackning (RoHS-kompatibel)
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 13 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -85 A -40 V Förbättring, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 40 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 50 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, -50 A -30 V Förbättring, PG-TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 60 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, IPD AEC-Q101