Infineon N Kanal, MOSFET, 7.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- RS-artikelnummer:
- 217-2495
- Tillv. art.nr:
- IPAN50R500CEXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 20 enheter)*
183,90 kr
(exkl. moms)
229,88 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 340 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 9,195 kr | 183,90 kr |
| 100 - 180 | 8,736 kr | 174,72 kr |
| 200 - 480 | 8,367 kr | 167,34 kr |
| 500 - 980 | 7,997 kr | 159,94 kr |
| 1000 + | 7,448 kr | 148,96 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 217-2495
- Tillv. art.nr:
- IPAN50R500CEXKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 7.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 500V | |
| Serie | CoolMOS | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 500mΩ | |
| Kanalläge | N | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 28W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 850mV | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18.7nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.8mm | |
| Höjd | 29.85mm | |
| Längd | 16.1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 7.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 500V | ||
Serie CoolMOS | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 500mΩ | ||
Kanalläge N | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 28W | ||
Framåtriktad spänning Vf 850mV | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18.7nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.8mm | ||
Höjd 29.85mm | ||
Längd 16.1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon 500 V CoolMOSTM CE är en prisoptimerad plattform som gör det möjligt att rikta kostnadskänsliga tillämpningar på konsument- och belysningsmarknader genom att fortfarande uppfylla högsta effektivitetsstandarder. Den nya serien ger alla fördelar med en snabb switching superjunction MOSFET samtidigt som den inte går ut på användarvänlighet och erbjuder det bästa kostnads- och prestandaförhållandet som finns tillgängligt på marknaden.
Minskad energi som lagras i utgångskapacitans (E oss)
Hög höljediodens robusthet
Minskad omvänd återställningsladd (Q rr )
Minskad grindladdning (Q g )
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.6 A 550 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-252, 500V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 6.6 A 500 V N, 3 Ben, TO-220, 500V CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.4 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 37 A 500 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS CE
- Infineon N Kanal, MOSFET, 5.2 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS
- Infineon N Kanal, MOSFET, 7.2 A 650 V N, 3 Ben, TO-220, CoolMOS