Infineon N Kanal, MOSFET, 8.7 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, HEXFET

Se alla MOSFET-transistor
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
215-2596
Tillv. art.nr:
IRFR120ZTRPBF
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

8.7A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-252

Serie

HEXFET

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

190mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.3V

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

10nC

Maximal effektförlust Pd

35W

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons HEXFET® Power MOSFET-serie använder de senaste bearbetningsteknikerna för att uppnå extremt lågt påslagningsmotstånd per kiselområde. Ytterligare funktioner i denna design är en kopplingstemperatur på 175 °C, snabb omkopplingshastighet och förbättrad repetitiv avalanche-klassning. Dessa egenskaper samverkar till att göra denna konstruktion till en extremt effektiv och tillförlitlig enhet som kan användas i en mängd olika applikationer.

Avancerad processteknik

Ultra låg på-resistans

Snabbväxlande

Repetitiv avalanche tillåten upp till Tjmax

Blyfri

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.