Infineon 1 N Kanal Dubbel, MOSFET, 6.6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 215-2582
- Tillv. art.nr:
- IRF7311TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 rulle med 4000 enheter)*
20 560,00 kr
(exkl. moms)
25 680,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 14 september 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 4000 + | 5,14 kr | 20 560,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2582
- Tillv. art.nr:
- IRF7311TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Serie | HEXFET | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 29mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 18nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.72V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 12V | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4mm | |
| Längd | 5mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Serie HEXFET | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 29mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 18nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.72V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 12V | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4mm | ||
Längd 5mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon-seriens femte generationens HEXFET från International rectifier utnyttjar avancerade bearbetningstekniker för att uppnå extremt låg on-motstånd för kiselarea. Dessa fördelar, i kombination med den snabba kopplingshastigheten och den robusta konstruktionen som HEXFET power MOSFET är välkända för, ger konstruktören en extremt effektiv och tillförlitlig enhet som kan användas i en mängd olika applikationer. SO-8 har modifierats med hjälp av en kundanpassad lead frame för förbättrade termiska egenskaper och multi-die-kapacitet, vilket gör den idealisk för en mängd olika kraftapplikationer. Med denna förbättring kan flera enheter användas i en applikation med dramatiskt reducerat kortutrymme. Förpackningen är utformad för ångfas, infraröd för våglödningstekniker.
Generation V-teknik
Ultralågt motstånd
Ytmontering
Fullständigt lavinklassad
MOSFET med dubbla N-kanaler
Relaterade länkar
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 6.6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 10 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET-arrayer, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel N-kanalig Mosfet, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET AEC-Q101
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 3 A 50 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, IR MOSFET, -4 A -30 V Dubbel, 8 Ben, SO-8, HEXFET