Infineon 1 N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 10 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- RS-artikelnummer:
- 215-2590
- Tillv. art.nr:
- IRF8910TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 25 enheter)*
191,30 kr
(exkl. moms)
239,125 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 21 december 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 - 100 | 7,652 kr | 191,30 kr |
| 125 - 225 | 7,266 kr | 181,65 kr |
| 250 - 600 | 6,962 kr | 174,05 kr |
| 625 - 1225 | 6,657 kr | 166,43 kr |
| 1250 + | 6,20 kr | 155,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2590
- Tillv. art.nr:
- IRF8910TRPBF
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | Effekt-MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 20V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | HEXFET | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 13.4mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 2W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 7.4nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Längd | 5mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.5mm | |
| Bredd | 4mm | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp Effekt-MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 20V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie HEXFET | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 13.4mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 2W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 7.4nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Längd 5mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.5mm | ||
Bredd 4mm | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons HEXFET Power MOSFET har 20 V maximal dräneringskällspänning i ett SO-8-paket. Den har tillämpning som dubbel SO-8 MOSFET för POL-omvandlare i stationära datorer, servrar, grafikkort, spelkonsoler och set-top-box.
Blyfri
Låg RDS(on)
Ultralåg gate-impedans
Dubbel N-kanal MOSFET
Relaterade länkar
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, Effekt-MOSFET, 10 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 6.6 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET-arrayer, 21 A 30 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel N-kanalig Mosfet, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- Infineon 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 5.1 A 55 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET AEC-Q101
- Infineon 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 3 A 50 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, IR MOSFET, -4 A -30 V Dubbel, 8 Ben, SO-8, HEXFET