Infineon N Kanal, MOSFET, 27 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 2
- RS-artikelnummer:
- 215-2506
- Tillv. art.nr:
- IPD33CN10NGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Antal (1 förpackning med 20 enheter)*
128,86 kr
(exkl. moms)
161,08 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 12 180 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 + | 6,443 kr | 128,86 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 215-2506
- Tillv. art.nr:
- IPD33CN10NGATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 27A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 2 | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 33mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 24nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 58W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 27A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 2 | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 33mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 24nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 58W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 100 V OptiMOSTM-effekt-MOSFET-transistorer erbjuder överlägsna lösningar för högeffektiva SMPS med hög effekttäthet. Jämfört med nästa bästa teknik uppnår denna familj en minskning på 30 % i både R DS(on) och FOM (meritfaktor).
N-kanal, normal nivå
Utmärkt grindladdning x R DS(on)-produkt (FOM)
Mycket låg påslagningsresistans R DS(on)
Blyfri plätering
Kvalificerad enligt JEDEC för målanvändning
Idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron likriktering
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 2
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3