Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 27 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 2

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

128,86 kr

(exkl. moms)

161,08 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 12 200 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 +6,443 kr128,86 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
215-2506
Tillv. art.nr:
IPD33CN10NGATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

27A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-252

Serie

OptiMOS 2

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

33mΩ

Kanalläge

Förbättring

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24nC

Maximal effektförlust Pd

58W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

The Infineon's 100V OptiMOS™ power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit).

N-channel, normal level

Excellent gate charge x R DS(on) product (FOM)

Very low on-resistance R DS(on)

Pb-free lead plating

Qualified according to JEDEC for target application

Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification

Relaterade länkar