Infineon N Kanal, MOSFET, 27 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 2

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

9 440,00 kr

(exkl. moms)

11 800,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • 10 000 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +3,776 kr9 440,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
215-2505
Tillv. art.nr:
IPD33CN10NGATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

27A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-252

Serie

OptiMOS 2

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

33mΩ

Kanalläge

Förbättring

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

24nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

20V

Maximal effektförlust Pd

58W

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

150°C

Standarder/godkännanden

No

Fordonsstandard

Nej

Infineons 100 V OptiMOSTM-effekt-MOSFET-transistorer erbjuder överlägsna lösningar för högeffektiva SMPS med hög effekttäthet. Jämfört med nästa bästa teknik uppnår denna familj en minskning på 30 % i både R DS(on) och FOM (meritfaktor).

N-kanal, normal nivå

Utmärkt grindladdning x R DS(on)-produkt (FOM)

Mycket låg påslagningsresistans R DS(on)

Blyfri plätering

Kvalificerad enligt JEDEC för målanvändning

Idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron likriktering

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.