Infineon N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 5

RS-artikelnummer:: 178-7370
Tillv. art.nr:: IPD053N06NATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 45 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 5

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

11 612,50 kr

(exkl. moms)

14 515,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

2 500 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	4,645 kr	11 612,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 178-7370
Tillv. art.nr:: IPD053N06NATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Produkttyp	MOSFET
	Kanaltyp	N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	45A
	Maximal källspänning för dränering Vds	60V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	OptiMOS 5
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	8mΩ
	Kanalläge	Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	27nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	83W
	Maximal arbetstemperatur	175°C
	Höjd	2.41mm
	Bredd	6.22mm
	Längd	6.73mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Produkttyp MOSFET
	Kanaltyp N
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 45A
	Maximal källspänning för dränering Vds 60V
	Kapseltyp TO-252
	Serie OptiMOS 5
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 8mΩ
	Kanalläge Förbättring
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 27nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 83W
	Maximal arbetstemperatur 175°C
	Höjd 2.41mm
	Bredd 6.22mm
	Längd 6.73mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

IPD053N06N OptiMOS Power-Transistor

RoHS-status: Undantagen

Infineon OptiMOS 5-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 45 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPD053N06NATMA1

Denna MOSFET är en N-kanalförstärkningsenhet som är utformad för högströmsomkoppling i ytmonterade strömförsörjningsenheter. Den fungerar i ett brett omgivningsområde för krävande termiska miljöer och är avsedd för tillämpningar där låga ledningsförluster och snabb omkoppling krävs. Enheten stöder standarddrivspänningar och ger en kontrollerad framåtriktad ledningskarakteristik som är lämplig för modern strömomvandling och motorstyrning.

Funktioner och fördelar:

• 8 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster och förbättrar effektiviteten
• Kontinuerlig dräneringsström på 45 A med stöd för högströmsmodeller
• 27 nC typisk grindladdning möjliggör snabbare växlingsövergångar
• Maximal effektförlust på 83 W möjliggör drift med hög effekt
• Gränstolerans på 20 V passar vanliga grindstyrningsscheman

Användningsområden

• Lämplig för synkrona buck-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för halvbryggor för trefasmotorväxelriktare
• Används med batterihanteringssystem i vägar med hög ström
• Kan användas för DC-DC-omvandling i telekomutrustning
• Lämplig för lastväxling i industriella automationsenheter

Vilka grinddrivaröverväganden påverkar kopplingsprestanda?

Att driva grinden mot 20 V-gränsen minskar påslagningsresistansen men ökar omkopplingsförlusterna

att välja en drivare som balanserar spänning och slew rate optimerar effektivitet och elektromagnetiskt beteende.

Hur bör termiska förhållanden hanteras för kontinuerlig drift?

Med en avledningsgrad på 83 W måste kylelementets och kopparytans yta på kretskortet vara dimensionerad för att upprätthålla kopplingstemperaturer inom enhetens -55 °C till 175 °C driftsområde för tillförlitlig långtidsdrift.

Vilka mekaniska begränsningar påverkar kretskortslayouten för denna enhet?

Paketet TO‐252 för ytmontering kräver uppmärksamhet på padgegeometri och termiska vägar för att överföra värme från den lödbara paketbasen till kortets termiska plan.

Hur påverkar framåtriktad spänning ledningsberäkningar?

En typisk framåtriktad spänning på 1,2 V bör inkluderas när man beräknar spänningsfall och effektförlust vid ledningsintervall, särskilt under förhållanden med hög ström.