Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

19 067,50 kr

(exkl. moms)

23 835,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
I lager
  • Dessutom levereras 2 500 enhet(er) från den 04 maj 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +7,627 kr19 067,50 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
214-9027
Tillv. art.nr:
IPD082N10N3GATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

80A

Maximal källspänning för dränering Vds

100V

Kapseltyp

TO-252

Serie

OptiMOS 3

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

8.2mΩ

Kanalläge

Förbättring

Maximal effektförlust Pd

125W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

42nC

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal arbetstemperatur

175°C

Standarder/godkännanden

No

Längd

6.73mm

Höjd

2.41mm

Fordonsstandard

Nej

The Infineon 100V OptiMOS power MOSFETs offer superior solutions for high efficiency, high power-density SMPS. Compared to the next best technology this family achieves a reduction of 30% in both R DS(on) and FOM (figure of merit). Ideal for high-frequency switching and synchronous rectification. Potential Applications includes Class D audio amplifiers, Isolated DC-DC converters etc.

It has 175 °C operating temperature

Qualified according to JEDEC for target applications

Relaterade länkar