Infineon N Kanal, MOSFET, 90 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 5

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 förpackning med 4 enheter)*

145,71 kr

(exkl. moms)

182,14 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • 6 160 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per förpackning*
4 +36,428 kr145,71 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
906-4485
Tillv. art.nr:
IPD025N06NATMA1
Tillverkare / varumärke:
Infineon
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Infineon

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

90A

Maximal källspänning för dränering Vds

60V

Kapseltyp

TO-252

Serie

OptiMOS 5

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

3.8mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal spänning för grindkälla Vgs

-20V, +20V

Framåtriktad spänning Vf

1.2V

Maximal effektförlust Pd

167W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

71nC

Maximal arbetstemperatur

175°C

Höjd

2.41mm

Längd

6.73mm

Standarder/godkännanden

No

Bredd

6.22mm

Fordonsstandard

Nej

RoHS-status: Undantagen

Infineon OptiMOS 5-serien MOSFET, 60 V maximal drain-källspänning, 90 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPD025N06NATMA1


Denna MOSFET med n-kanalförstärkning är en effekttransistor som är utformad för ytmonterad elektronik som kräver robust omkoppling och ledning vid medelspänningsnivåer. Den fungerar över ett brett temperaturområde och är avsedd för högströmstillämpningar där låga ledningsförluster och måttlig grinddrift krävs. Enheten levereras i en TO-252-kapsel som är lämplig för automatiserad montering på tätt belägna kort.

Funktioner och fördelar:


• 3.8 mΩ Rds(on) minskar ledningsförluster för högre effektivitet
• Kontinuerlig dräneringsström på 90 A med stöd för omkoppling vid kraftig belastning
• 60 V drain-source-klassning möjliggör medelspänningsdesigner
• 71 nC typisk grindladdning minimerar drivenergikrav
• Maximal effektförlust på 167 W möjliggör förhöjd effekthantering
• Gränsen för 20 V gate-source möjliggör robusta gate-drivenhetsmarginaler

Användningsområden


• Lämplig för synkrona buck-omvandlare i nätaggregat
• Idealisk för motordrivna halvbryggor i industriella styrenheter
• Används med batterihanteringssystem som kräver hög ström
• Kan användas för DC-DC-omvandling i telekomutrustning
• Lämplig för effektsteg i server- eller lagringselektronik

Vilket temperaturområde tål den under drift?


Den är specifik för drift från -55 °C upp till 175 °C och klarar tuffa termiska miljöer.

Hur är den förpackad för montering och kylning?


Komponenten levereras i en TO-252 (DPAK)-förpackning för ytmontering som är utformad för montering av lödda kort och värmeöverföring till kylflänsar.

Vilka överväganden om gate-drivning bör jag ta hänsyn till?


Gate-källspänningen får inte överstiga 20 V

bör drivkretsar vara dimensionerade för att leverera den typiska 71 nC grindladdningen för önskade omkopplingshastigheter.

Hur påverkar dess kanaltyp kopplingsbeteendet?


Som en N-kanalförstärkningsenhet kräver den en positiv grindspänning för att leda, vilket ger låg påslagningsresistans för effektiva höga strömvägar.

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.