Infineon N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3
- RS-artikelnummer:
- 214-9029
- Tillv. art.nr:
- IPD082N10N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 10 enheter)*
153,22 kr
(exkl. moms)
191,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 30 enhet(er) är redo att levereras
- Dessutom levereras 4 580 enhet(er) från den 28 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 15,322 kr | 153,22 kr |
| 50 - 90 | 14,571 kr | 145,71 kr |
| 100 - 240 | 13,955 kr | 139,55 kr |
| 250 - 490 | 13,317 kr | 133,17 kr |
| 500 + | 12,421 kr | 124,21 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-9029
- Tillv. art.nr:
- IPD082N10N3GATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 80A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | OptiMOS 3 | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 8.2mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 42nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 125W | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 175°C | |
| Bredd | 6.22mm | |
| Längd | 6.73mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.41mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 80A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie OptiMOS 3 | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 8.2mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 42nC | ||
Maximal effektförlust Pd 125W | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 175°C | ||
Bredd 6.22mm | ||
Längd 6.73mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.41mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons 100 V OptiMOS effekt-MOSFET erbjuder överlägsna lösningar för högeffektiva SMPS med hög effekttäthet. Jämfört med nästa bästa teknik uppnår denna familj en minskning på 30 % i både R DS(on) och FOM (meritfaktor). Idealisk för högfrekvent omkoppling och synkron likriktering. Potentiella tillämpningar inkluderar klass D-ljudförstärkare, isolerade DC-DC-omvandlare etc.
Den har en drifttemperatur på 175 °C
Kvalificerad enligt JEDEC för måltillämpningar
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 100 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 21 A 150 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 50 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-263, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 80 A 80 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 73 A 80 V N, 3 Ben, TO-252, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 25 A 60 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, OptiMOS-T2