Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7

RS-artikelnummer:: 214-9046
Tillv. art.nr:: IPD70R1K4P7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 4 A 700 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, CoolMOS P7

Antal (2500 enheter, på en rulle med 2500)*

4 275,00 kr

(exkl. moms)

5 350,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

10 000 enhet(er) är redo att levereras

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
2500 +	1,71 kr	4 275,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 214-9046
Tillv. art.nr:: IPD70R1K4P7SAUMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	4A
	Maximal källspänning för dränering Vds	700V
	Kapseltyp	TO-252
	Serie	CoolMOS P7
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	3
	Maximal drain-källresistans Rds	1.4Ω
	Kanalläge	Förbättring
	Maximal effektförlust Pd	22.7W
	Framåtriktad spänning Vf	900mV
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	16V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	4.7nC
	Minsta arbetsstemperatur	-40°C
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	2.41mm
	Standarder/godkännanden	No
	Längd	6.73mm
	Bredd	6.22mm
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 4A
	Maximal källspänning för dränering Vds 700V
	Kapseltyp TO-252
	Serie CoolMOS P7
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 3
	Maximal drain-källresistans Rds 1.4Ω
	Kanalläge Förbättring
	Maximal effektförlust Pd 22.7W
	Framåtriktad spänning Vf 900mV
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 16V
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 4.7nC
	Minsta arbetsstemperatur -40°C
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 2.41mm
	Standarder/godkännanden No
	Längd 6.73mm
	Bredd 6.22mm
	Fordonsstandard Nej

Datasheet - IPD70R1K4P7SAUMA1

Infineon CoolMOS P7-serien MOSFET, 700 V maximal drain-källspänning, 4 A maximal kontinuerlig drain-ström – IPD70R1K4P7SAUMA1

Denna MOSFET är en högspänningsomkopplingsenhet som är utformad för strömomvandlings- och drivtillämpningar. Den fungerar över ett brett temperaturområde och ger N-kanal-förstärkningsläge-omkopplingsförmåga som är lämplig för ytmonterade enheter i krävande elektriska system.

Funktioner och fördelar:

• Drain-klassning på 700 V möjliggör högspänningsomkopplingstillämpningar
• Kontinuerlig dräneringsström på 4 A stöder måttliga belastningsströmmar
• Låg RDS(on) på 1.4 Ω minskar ledningsförluster under belastning
• 22,7 W effektförlust möjliggör hållbar värmehantering
• 4.7 nC typisk grindladdning möjliggör effektiv omkopplingskontroll
• 16 V grindklassning möjliggör betydande utrymme för grinddrivare

Användningsområden

• Lämplig för SMPS primära omkopplingssteg
• Idealisk för motordrivna halvbryggswitchar
• Används med industriella högspänningsnätaggregat
• Kan användas för switchad strömreglering
• Lämplig för ytmonterade strömförsörjningsenheter

Vilket temperaturområde är acceptabelt för drift?

Den är specificerad för att fungera från -40 °C upp till 150 °C.

Vilken kapslingstyp och monteringsmetod använder den?

Den levereras i en TO-252-förpackning och är avsedd för ytmontering.

Hur många stift finns tillgängliga för kretskortsanslutning?

Det finns tre elektriska stift för standard-MOSFET-anslutning.

Vad är den typiska framspänningen vid ledning?

Forward-spänningen under specificerade förhållanden är 0,9 V.

Vilka kanalegenskaper påverkar enhetens beteende?

Det är en N-kanal, förstärkningsläge med specificerade grind- och dräneringsgränser.