Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- RS-artikelnummer:
- 214-8975
- Tillv. art.nr:
- BSC0502NSIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 15 enheter)*
182,565 kr
(exkl. moms)
228,21 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- 14 970 enhet(er) är redo att levereras
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 15 - 60 | 12,171 kr | 182,57 kr |
| 75 - 135 | 11,551 kr | 173,27 kr |
| 150 - 360 | 11,073 kr | 166,10 kr |
| 375 - 735 | 10,58 kr | 158,70 kr |
| 750 + | 9,863 kr | 147,95 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 214-8975
- Tillv. art.nr:
- BSC0502NSIATMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 100A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Kapseltyp | TDSON | |
| Serie | OptiMOS 5 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 2.3mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 9nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 43W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.65V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5.49mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 1.1mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 100A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Kapseltyp TDSON | ||
Serie OptiMOS 5 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 2.3mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 9nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 43W | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.65V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5.49mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 1.1mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineons sortiment av OptiMOS-produkter finns i högpresterande paket för att hantera de mest utmanande applikationerna, vilket ger full flexibilitet i begränsade utrymmen. Dessa Infineon-produkter är utformade för att uppfylla och överträffa kraven på energieffektivitet och effekttäthet i de skärpta nästa generations standarder för spänningsreglering i datortillämpningar.
Monolitisk integrerad Schottky-liknande diod
Optimerad för högpresterande buck-omvandlare
100 % avalanche-testade
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 5
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 40 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 57 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 100 A 30 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS 3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 275 A 40 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 13 A 34 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 147 A 25 V Förbättring, 8 Ben, TDSON, OptiMOS