onsemi N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, NTPF
- RS-artikelnummer:
- 214-8915
- Tillv. art.nr:
- NTPF450N80S3Z
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 214-8915
- Tillv. art.nr:
- NTPF450N80S3Z
- Tillverkare / varumärke:
- onsemi
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | onsemi | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Serie | NTPF | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 450mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 19.3nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 29.5W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.53mm | |
| Standarder/godkännanden | RoHS | |
| Höjd | 4.83mm | |
| Bredd | 15.75mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke onsemi | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Serie NTPF | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 450mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 19.3nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 29.5W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.53mm | ||
Standarder/godkännanden RoHS | ||
Höjd 4.83mm | ||
Bredd 15.75mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
ON Semiconductor är en högpresterande MOSFET-familj som erbjuder 800 V genombrottsspänning. Den är optimerad för primär omkopplare av flyback-omvandlare, möjliggör lägre omkopplingsförluster och kapslingstemperatur utan att kompromissa med EMI-prestanda.
Förbättrad ESD-kapacitet med zenerdiod
RoHS-märkt
Relaterade länkar
- onsemi N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, NTPF
- onsemi N Kanal, MOSFET, 8 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 3 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 1.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- onsemi N Kanal, MOSFET, 5.5 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, QFET
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, MDmesh
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3
- Infineon N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7