Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3
- RS-artikelnummer:
- 753-3190
- Tillv. art.nr:
- SPP11N80C3XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 enhet)*
41,22 kr
(exkl. moms)
51,52 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
I lager
- Dessutom levereras 25 enhet(er) från den 31 augusti 2026
- Dessutom levereras 370 enhet(er) från den 04 september 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet |
|---|---|
| 1 - 9 | 41,22 kr |
| 10 - 24 | 39,09 kr |
| 25 - 49 | 37,52 kr |
| 50 - 99 | 35,84 kr |
| 100 + | 33,49 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 753-3190
- Tillv. art.nr:
- SPP11N80C3XKSA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 800V | |
| Kapseltyp | TO-220 | |
| Serie | CoolMOS C3 | |
| Typ av fäste | Genomgående hål | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 450mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Maximal effektförlust Pd | 156W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 64nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 10.36mm | |
| Höjd | 9.45mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 4.57mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 800V | ||
Kapseltyp TO-220 | ||
Serie CoolMOS C3 | ||
Typ av fäste Genomgående hål | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 450mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Maximal effektförlust Pd 156W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 64nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 10.36mm | ||
Höjd 9.45mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 4.57mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Infineon CoolMOS™C3 kraft-MOSFET
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 17 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 2 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 4 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-247, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 650 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS C3
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 11 A 800 V Förbättring, 3 Ben, TO-220, CoolMOS P7