Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, OptiMOS

RS-artikelnummer:: 214-4363
Tillv. art.nr:: IPB017N10N5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Infineon N Kanal, MOSFET, 180 A 100 V N, 7 Ben, TO-263, OptiMOS

Antal (1 rulle med 1000 enheter)*

29 741,00 kr

(exkl. moms)

37 176,00 kr

(inkl. moms)

GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr

I lager

Dessutom levereras 1 000 enhet(er) från den 14 september 2026

Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter	Per enhet	Per rulle*
1000 +	29,741 kr	29 741,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:: 214-4363
Tillv. art.nr:: IPB017N10N5LFATMA1
Tillverkare / varumärke:: Infineon

Specifikationer

Datablad

Lagstiftning och ursprungsland

Produktdetaljer

Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.

Välj alla	Attribut	Värde
	Varumärke	Infineon
	Kanaltyp	N
	Produkttyp	MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id	180A
	Maximal källspänning för dränering Vds	100V
	Kapseltyp	TO-263
	Serie	OptiMOS
	Typ av fäste	Yta
	Antal ben	7
	Maximal drain-källresistans Rds	1.7mΩ
	Kanalläge	N
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs	195nC
	Minsta arbetsstemperatur	-55°C
	Maximal effektförlust Pd	313W
	Framåtriktad spänning Vf	1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs	20V
	Maximal arbetstemperatur	150°C
	Höjd	4.57mm
	Längd	10.31mm
	Bredd	9.45mm
	Standarder/godkännanden	No
	Fordonsstandard	Nej

	Välj alla
	Varumärke Infineon
	Kanaltyp N
	Produkttyp MOSFET
	Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 180A
	Maximal källspänning för dränering Vds 100V
	Kapseltyp TO-263
	Serie OptiMOS
	Typ av fäste Yta
	Antal ben 7
	Maximal drain-källresistans Rds 1.7mΩ
	Kanalläge N
	Typisk grindladdning Qg @ Vgs 195nC
	Minsta arbetsstemperatur -55°C
	Maximal effektförlust Pd 313W
	Framåtriktad spänning Vf 1.2V
	Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V
	Maximal arbetstemperatur 150°C
	Höjd 4.57mm
	Längd 10.31mm
	Bredd 9.45mm
	Standarder/godkännanden No
	Fordonsstandard Nej

IPB017N10N5LFATMA1 Datasheet

Kombinerar en låg RDS(on) med ett brett säkert arbetsområde (SOA)

OptiMOSTM Linear FET är ett revolutionerande tillvägagångssätt för att undvika kompromissen mellan på-motstånd (R DS(on)) och linjär lägeskapacitet – drift i mättnadsområdet för en förstärkt läges-MOSFET. Den erbjuder den toppmoderna R DS(on) för en trench-MOSFET tillsammans med det breda säkra arbetsområdet för en klassisk planär MOSFET.

Sammanfattning av funktioner

•Kombination av låg R DS(on) och brett säkert arbetsområde (SOA)

•Hög max. pulsström

•Hög kontinuerlig pulsström

Fördelar

•Robust linjär drift

•Låga ledningsförluster

•Högre startström aktiverad för snabbare start och kortare driftstopp

Potentiella tillämpningar

•Telekommunikation

•Batterihantering