Infineon N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 178-7507
- Distrelec artikelnummer:
- 304-24-004
- Tillv. art.nr:
- BSS138NH6433XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Få en mängdrabatt
Lägg till 20000 till för att spara 4%
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 10000 enheter)*
5 430,00 kr
(exkl. moms)
6 790,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- 160 000 enhet(er) levereras från den 16 november 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* | Besparing |
|---|---|---|---|
| 10000 - 10000 | 0,543 kr | 5 430,00 kr | - |
| 20000 - 20000 | 0,516 kr | 5 160,00 kr | 4% |
| 30000 + | 0,484 kr | 4 840,00 kr | 10% |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 178-7507
- Distrelec artikelnummer:
- 304-24-004
- Tillv. art.nr:
- BSS138NH6433XTMA1
- Tillverkare / varumärke:
- Infineon
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Infineon | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 230mA | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SOT-23 | |
| Serie | SIPMOS | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 3.5Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 830mV | |
| Maximal effektförlust Pd | 360mW | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | -20V, +20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 1nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 2.9mm | |
| Bredd | 1.3mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Infineon | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 230mA | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SOT-23 | ||
Serie SIPMOS | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 3.5Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 830mV | ||
Maximal effektförlust Pd 360mW | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs -20V, +20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 1nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 2.9mm | ||
Bredd 1.3mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
Infineon SIPMOS® N-kanaliga MOSFET:ar
MOSFET-transistorer, Infineon
Infineon erbjuder en stor och omfattande portfölj av MOSFET-enheter som inkluderar familjerna CoolMOS, OptiMOS och StrongIRFET. De levererar bästa prestanda i klassen för att ge mer effektivitet, effekttäthet och kostnadseffektivitet. Konstruktioner som kräver hög kvalitet och förbättrade skyddsfunktioner drar nytta av AEC-Q101 industristandarder MOSFET:er med fordonsgodkännande.
Relaterade länkar
- Infineon N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 230 mA 60 V Avskrivningar, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 21 mA 600 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 110 mA 240 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 330 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon Typ P Kanal, MOSFET, 170 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS AEC-Q101
- Infineon N Kanal, MOSFET, 200 mA 60 V Förbättring, 3 Ben, SOT-23, SIPMOS