DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 100 V Förbättring, 12 Ben, VDFN, DMHT10H032LFJ AEC-Q100, AEC-Q200,
- RS-artikelnummer:
- 213-9147
- Tillv. art.nr:
- DMHT10H032LFJ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Mängdrabatt möjlig
Antal (1 förpackning med 10 enheter)*
203,50 kr
(exkl. moms)
254,40 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 10 - 40 | 20,35 kr | 203,50 kr |
| 50 - 90 | 19,947 kr | 199,47 kr |
| 100 - 240 | 17,797 kr | 177,97 kr |
| 250 - 990 | 17,438 kr | 174,38 kr |
| 1000 + | 14,235 kr | 142,35 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 213-9147
- Tillv. art.nr:
- DMHT10H032LFJ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Kapseltyp | VDFN | |
| Serie | DMHT10H032LFJ | |
| Fästetyp | Yta | |
| Antal ben | 12 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.033Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 64W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20 V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Framåtriktad spänning Vf | 0.8V | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 4.5 mm | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 0.8mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Kapseltyp VDFN | ||
Serie DMHT10H032LFJ | ||
Fästetyp Yta | ||
Antal ben 12 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.033Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 64W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20 V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Framåtriktad spänning Vf 0.8V | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 4.5 mm | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 0.8mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
The DiodesZetex DMHT10H032LFJ series is a N-channel MOSFET in a H-bridge configuration.
High conversion efficiency
Fast switching speed
Relaterade länkar
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel 6 A 100 V Förbättring VDFN AEC-Q200,
- DiodesZetex Typ N Kanal Dubbel 10.6 A 30 V Förbättring VDFN-3030 AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel 9.1 A 60 V Förbättring VDFN
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel 17.1 A 60 V Förbättring PowerDI5060 AEC-Q101,
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel 33 A 60 V Förbättring PowerDI5060 AEC-Q101,
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel 46.2 A 40 V Förbättring PowerDI5060 AEC-Q100,
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel 0.9 A 60 V Förbättring SO-8, ZXMS6008DN8 AEC-Q100
- DiodesZetex 1 Typ N Kanal Dubbel 8 A 20 V Förbättring VDFN, DMN2024UFX
