DiodesZetex 1 N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 100 V Förbättring, 12 Ben, VDFN, DMHT10H032LFJ AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 213-9146
- Tillv. art.nr:
- DMHT10H032LFJ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
- RS-artikelnummer:
- 213-9146
- Tillv. art.nr:
- DMHT10H032LFJ-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 100V | |
| Serie | DMHT10H032LFJ | |
| Kapseltyp | VDFN | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 12 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.033Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 64W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 800mV | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 6.3nC | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Längd | 5mm | |
| Höjd | 800μm | |
| Bredd | 4.5mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | |
| Antal element per chip | 1 | |
| Fordonsstandard | AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 100V | ||
Serie DMHT10H032LFJ | ||
Kapseltyp VDFN | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 12 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.033Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 64W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 800mV | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 6.3nC | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Längd 5mm | ||
Höjd 800μm | ||
Bredd 4.5mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101, RoHS, UL 94V-0, MIL-STD-202, J-STD-020 | ||
Antal element per chip 1 | ||
Fordonsstandard AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101 | ||
DiodesZetex DMHT10H032LFJ-serien är en N-kanal MOSFET i en H-bryggkonfiguration.
Hög konverteringseffektivitet
Snabb kopplingshastighet
Relaterade länkar
- DiodesZetex 1 N Kanal Dubbel, MOSFET, 6 A 100 V Förbättring, 12 Ben, VDFN, DMHT10H032LFJ AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal Dubbel, MOSFET, 10.6 A 30 V Förbättring, 8 Ben, VDFN-3030, DMT AEC-Q100, AEC-Q101, AEC-Q200
- DiodesZetex 1 N Kanal Dubbel, MOSFET, 17.1 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI5060, DMT6015LPDW AEC-Q100, AEC-Q101,
- DiodesZetex N Kanal Dubbel, MOSFET, 261 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, 2N7002 AEC-Q200, AEC-Q101, AEC-Q100
- DiodesZetex N Kanal Dubbel, MOSFET, 21.2 A 40 V Förbättring, 8 Ben, PowerDI3333-8, DMT AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200
- DiodesZetex N Kanal Dubbel, MOSFET, 800 mA 30 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ P Kanal Dubbel, MOSFET, -4.5 A 20 V Förbättring, 6 Ben, DFN AEC-Q100, AEC-Q200, AEC-Q101
- DiodesZetex N Kanal Dubbel, MOSFET, 217 mA 60 V Förbättring, 6 Ben, SOT-363, DMN AEC-Q101, AEC-Q100, AEC-Q200