STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 210-8739
- Tillv. art.nr:
- STD12N60DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 2500 enheter)*
26 845,00 kr
(exkl. moms)
33 555,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 10 februari 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 10,738 kr | 26 845,00 kr |
| 5000 + | 10,605 kr | 26 512,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 210-8739
- Tillv. art.nr:
- STD12N60DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 10A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 390mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 17nC | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 90W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 10A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 390mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 17nC | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 90W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Bredd 6.2mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 2.4mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
STMicroelectronics högspännings-N-kanal-effekt-MOSFET är en del av Mesh DM6-diodserien med snabb återhämtning. Jämfört med den föregående Mesh-snabba generationen kombinerar DM6 mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), återhämtningstid (trr) och utmärkt förbättring av RDS(on) per område med en av de mest effektiva omkopplingsbeteenden tillgängliga på marknaden för de mest krävande högeffektiva bryggtopologierna och ZVS-fasförskjutningsomvandlare.
Husdiod med snabb återhämtning
Lägre RDS(on) per område jämfört med föregående generation
Låg grindladdning, ingångskapacitet och motstånd
100 % avalanche-testade
Extremt hög dv/dt robusthet
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD11N60M6
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, FDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH