STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252 AEC-Q101

Se alla MOSFET-transistor

Antal (1 rulle med 2500 enheter)*

27 685,00 kr

(exkl. moms)

34 605,00 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 24 augusti 2026
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter
Per enhet
Per rulle*
2500 +11,074 kr27 685,00 kr

*vägledande pris

RS-artikelnummer:
210-8739
Tillv. art.nr:
STD12N60DM6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

Typ N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

10A

Maximal källspänning för dränering Vds

600V

Kapseltyp

TO-252

Typ av fäste

Yta

Antal ben

3

Maximal drain-källresistans Rds

390mΩ

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Framåtriktad spänning Vf

1.6V

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

17nC

Maximal effektförlust Pd

90W

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

6.6mm

Standarder/godkännanden

No

Höjd

2.4mm

Fordonsstandard

AEC-Q101

The STMicroelectronics high-voltage N-channel Power MOSFET is part of the Mesh DM6 fast-recovery diode series. Compared with the previous Mesh fast generation, DM6 combines very low recovery charge (Qrr), recovery time (trr) and excellent improvement in RDS(on) per area with one of the most effective switching behaviors available in the market for the most demanding high-efficiency bridge topologies and ZVS phase-shift converters.

Fast-recovery body diode

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate charge, input capacitance and resistance

100% avalanche tested

Extremely high dv/dt ruggedness

Zener-protected

Relaterade länkar