STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 210-8742
- Tillv. art.nr:
- STD15N60DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 förpackning med 5 enheter)*
151,20 kr
(exkl. moms)
189,00 kr
(inkl. moms)
Lagerinformation är för närvarande otillgänglig - kom tillbaka senare
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 5 - 45 | 30,24 kr | 151,20 kr |
| 50 - 120 | 27,172 kr | 135,86 kr |
| 125 + | 22,288 kr | 111,44 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 210-8742
- Tillv. art.nr:
- STD15N60DM6
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 12A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 338mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 15.3nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 6.6mm | |
| Höjd | 2.4mm | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 12A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 338mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 15.3nC | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 6.6mm | ||
Höjd 2.4mm | ||
Bredd 6.2mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
STMicroelectronics högspännings-N-kanal-effekt-MOSFET är en del av Mesh DM6-diodserien med snabb återhämtning. Jämfört med den föregående Mesh-snabba generationen kombinerar DM6 mycket låg återhämtningsladdning (Qrr), återhämtningstid (trr) och utmärkt förbättring av RDS(on) per område med en av de mest effektiva omkopplingsbeteenden tillgängliga på marknaden för de mest krävande högeffektiva bryggtopologierna och ZVS-fasförskjutningsomvandlare.
Husdiod med snabb återhämtning
Lägre RDS(on) per område jämfört med föregående generation
Låg grindladdning, ingångskapacitet och motstånd
100 % avalanche-testade
Extremt hög dv/dt robusthet
Zener-skyddad
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD11N60M6
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, FDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 2 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 4 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, SuperMESH