STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- RS-artikelnummer:
- 188-8287
- Tillv. art.nr:
- STD13N60DM2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (1 rulle med 2500 enheter)*
24 720,00 kr
(exkl. moms)
30 900,00 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 09 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 2500 - 2500 | 9,888 kr | 24 720,00 kr |
| 5000 + | 9,809 kr | 24 522,50 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 188-8287
- Tillv. art.nr:
- STD13N60DM2
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 11A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | TO-252 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 3 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 360mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 12.5nC | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal effektförlust Pd | 110W | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.6V | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 25V | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Bredd | 6.2mm | |
| Längd | 6.6mm | |
| Höjd | 2.17mm | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 11A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp TO-252 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 3 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 360mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 12.5nC | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal effektförlust Pd 110W | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.6V | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 25V | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Bredd 6.2mm | ||
Längd 6.6mm | ||
Höjd 2.17mm | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Denna högspännings N-kanal Power MOSFET är en del av MDmeshTM DM2-diodserien med snabb återhämtning. Den erbjuder mycket låg återhämtningsladdning (Qrr) och tid (trr) i kombination med låg RDS(on), vilket gör den lämplig för de mest krävande högeffektiva omvandlarna och idealisk för brotopologier och ZVS-fasförskjutningsomvandlare.
Husdiod med snabb återhämtning
Extremt låg grindladdning och ingångskapacitet
Låg på-resistans
Extremt hög dv/dt robusthet
Zener-skyddad
Användningsområden
Omkopplingstillämpningar
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, FDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 11 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh II
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 6 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 12 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 8 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD11N60M6
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, MDmesh
- STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 3.5 A 600 V Förbättring, 3 Ben, TO-252, STD5N