STMicroelectronics N Kanal, MOSFET, 34 A 600 V Förbättring, 8 Ben, STO67N60M6

För närvarande inte tillgänglig
Vi vet inte om den här artikeln kommer tillbaka i lager, RS har för avsikt att ta bort den från vårt utbud snart.
RS-artikelnummer:
206-6070
Tillv. art.nr:
STO67N60M6
Tillverkare / varumärke:
STMicroelectronics
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

STMicroelectronics

Kanaltyp

N

Produkttyp

MOSFET

Maximal kontinuerlig dräneringsström (Id)

34 A

Maximal källspänning för dränering (Vds)

600 V

Kanalläge

Förbättring

Antal ben

8

Serie

STO67N60M6

Maximal drain-källresistans (Rds)

54 mΩ

Typ av fäste

Yta

The STMicroelectronics MDmesh M6 technology incorporates the most recent advancements to the well-known and consolidated MDmesh family of SJ MOSFETs. STMicroelectronics builds on the previous generation of MDmesh devices through its new M6 technology, which combines excellent RDS(on) per area improvement with one of the most effective switching behaviours available, as well as a user-friendly experience for maximum end-application efficiency.

Reduced switching losses

Lower RDS(on) per area vs previous generation

Low gate input resistance

100% avalanche tested

Zener-protected

High creepage package

Excellent switching performance thanks to the extra driving source pin

Relaterade länkar

Håll dig uppdaterad om våra senaste produkter och tjänster

E-postadress

De personuppgifter som du lämnar när du anmäler dig till nyhetsbrevet kommer att behandlas i enlighet med vår integritetspolicy.