STMicroelectronics N-kanal N Kanal, MOSFET, 54 A 600 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, STHU60 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 481-130
- Tillv. art.nr:
- STHU60N046DM9AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Antal (1 rulle med 600 enheter)*
35 091,00 kr
(exkl. moms)
43 863,60 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 12 mars 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per rulle* |
|---|---|---|
| 600 + | 58,485 kr | 35 091,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 481-130
- Tillv. art.nr:
- STHU60N046DM9AG
- Tillverkare / varumärke:
- STMicroelectronics
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | STMicroelectronics | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 54A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 600V | |
| Kapseltyp | HU3PAK | |
| Serie | STHU60 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 7 | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | N-kanal | |
| Längd | 11.9mm | |
| Höjd | 3.6mm | |
| Standarder/godkännanden | AEC-Q101 | |
| Bredd | 14.1mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke STMicroelectronics | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 54A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 600V | ||
Kapseltyp HU3PAK | ||
Serie STHU60 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 7 | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration N-kanal | ||
Längd 11.9mm | ||
Höjd 3.6mm | ||
Standarder/godkännanden AEC-Q101 | ||
Bredd 14.1mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- JP
STMicroelectronics N-Channel Power MOSFET är baserad på avancerad super-junction MDmesh DM9-teknik, utformad för tillämpningar med medel till hög spänning. Den har mycket låg RDS(on) per område och en integrerad diod med snabb återställning. DM9-tekniken använder en tillverkningsprocess med flera avlopp för att förbättra enhetsstrukturen och prestandan. Med låg återhämtningsladdning (Qrr), snabb återhämtningstid (trr) och låg RDS(on) är denna snabba MOSFET idealisk för högeffektiva bryggtopologier och ZVS-fasförskjutningsomvandlare.
Låg grindladdning och motstånd
100 % avalanche-testade
Extremt hög dv/dt robusthet
Utmärkt omkopplingsprestanda tack vare den extra drivande källans pin
AEC-Q101-godkänd
Relaterade länkar
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 54 A 600 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, STHU60 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 60 A 650 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, Sct AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 55 A 30 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, STH AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, Effekt-MOSFET, 30 A 1200 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, SCT AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, 60 A 650 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, STPOWER Gen3 SiC MOSFET AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Typ N Kanal, MOSFET, 51 A 650 V N, 7 Ben, HU3PAK, STHU65 AEC-Q101
- STMicroelectronics N-kanal Kanal, Effekt-MOSFET, 26 A 650 V N, 7 Ben, HU3PAK, STHU65N1 AEC-Q101
- STMicroelectronics Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 750 V Förbättring, 7 Ben, HU3PAK, SCT