DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 6.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMN6022 AEC-Q101
- RS-artikelnummer:
- 206-0091
- Tillv. art.nr:
- DMN6022SSS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Antal (1 förpackning med 25 enheter)*
40,425 kr
(exkl. moms)
50,525 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Sista RS lager
- Slutlig(a) 1 675 enhet(er), redo att levereras
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 25 + | 1,617 kr | 40,43 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 206-0091
- Tillv. art.nr:
- DMN6022SSS-13
- Tillverkare / varumärke:
- DiodesZetex
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | DiodesZetex | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Kanaltyp | Typ N | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 6.9A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 60V | |
| Kapseltyp | SO-8 | |
| Serie | DMN6022 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 34mΩ | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal effektförlust Pd | 1.3W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Framåtriktad spänning Vf | 1.2V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 14nC | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Höjd | 1.4mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Längd | 4.85mm | |
| Fordonsstandard | AEC-Q101 | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke DiodesZetex | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Kanaltyp Typ N | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 6.9A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 60V | ||
Kapseltyp SO-8 | ||
Serie DMN6022 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 34mΩ | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal effektförlust Pd 1.3W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Framåtriktad spänning Vf 1.2V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 14nC | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Höjd 1.4mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Längd 4.85mm | ||
Fordonsstandard AEC-Q101 | ||
- COO (ursprungsland):
- CN
DiodesZetex 60 V N-kanalförstärkningsläge MOSFET är utformad för att minimera påslagningsresistansen samtidigt som den upprätthåller överlägsen omkopplingsprestanda, vilket gör den idealisk för högeffektiva strömhanteringstillämpningar. Grindkällans spänning är 20 V med 1,3 W termisk effektförlust.
Låg på-resistans
Låg ingångskapacitans
Relaterade länkar
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 6.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMN6022 AEC-Q101
- DiodesZetex Typ P Kanal, MOSFET, 7 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMP2040USS AEC-Q101
- DiodesZetex 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 0.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, ZXMS6008N8 AEC-Q101
- Infineon Typ N Kanal, MOSFET, 6.9 A 100 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, HEXFET
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 10 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMT616
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 14.8 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, DMT67M8LSS
- DiodesZetex Typ N Kanal, MOSFET, 0.9 A 60 V Förbättring, 8 Ben, SO-8, ZXMS6008DN8
- DiodesZetex 1 Typ P Kanal Enkel, Effekt-MOSFET, 6.5 A 20 V Förbättring, 8 Ben, SO-8