Vishay 2 N Kanal Dubbel, MOSFET, 101 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSF06DN
- RS-artikelnummer:
- 204-7260
- Tillv. art.nr:
- SISF06DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Mängdrabatt möjlig
Visa alternativ för volympriserAntal (20 enheter, i en förpackning med 20)*
291,88 kr
(exkl. moms)
364,84 kr
(inkl. moms)
GRATIS leverans för online beställningar över 750,00 kr
Tillfälligt slut
- Leverans från den 22 oktober 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"
Enheter | Per enhet | Per förpackning* |
|---|---|---|
| 20 - 80 | 14,594 kr | 291,88 kr |
| 100 - 180 | 12,399 kr | 247,98 kr |
| 200 - 480 | 10,215 kr | 204,30 kr |
| 500 - 980 | 9,274 kr | 185,48 kr |
| 1000 + | 9,05 kr | 181,00 kr |
*vägledande pris
- RS-artikelnummer:
- 204-7260
- Tillv. art.nr:
- SISF06DN-T1-GE3
- Tillverkare / varumärke:
- Vishay
Specifikationer
Datablad
Lagstiftning och ursprungsland
Produktdetaljer
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla | Attribut | Värde |
|---|---|---|
| Varumärke | Vishay | |
| Kanaltyp | N | |
| Produkttyp | MOSFET | |
| Maximal kontinuerlig dräneringsström Id | 101A | |
| Maximal källspänning för dränering Vds | 30V | |
| Serie | SiSF06DN | |
| Kapseltyp | PowerPAK 1212 | |
| Typ av fäste | Yta | |
| Antal ben | 8 | |
| Maximal drain-källresistans Rds | 0.0045Ω | |
| Kanalläge | Förbättring | |
| Maximal spänning för grindkälla Vgs | 20V | |
| Typisk grindladdning Qg @ Vgs | 30nC | |
| Maximal effektförlust Pd | 69.4W | |
| Minsta arbetsstemperatur | -55°C | |
| Maximal arbetstemperatur | 150°C | |
| Transistorkonfiguration | Dubbel | |
| Bredd | 3.3mm | |
| Längd | 3.3mm | |
| Standarder/godkännanden | No | |
| Höjd | 0.73mm | |
| Antal element per chip | 2 | |
| Fordonsstandard | Nej | |
| Välj alla | ||
|---|---|---|
Varumärke Vishay | ||
Kanaltyp N | ||
Produkttyp MOSFET | ||
Maximal kontinuerlig dräneringsström Id 101A | ||
Maximal källspänning för dränering Vds 30V | ||
Serie SiSF06DN | ||
Kapseltyp PowerPAK 1212 | ||
Typ av fäste Yta | ||
Antal ben 8 | ||
Maximal drain-källresistans Rds 0.0045Ω | ||
Kanalläge Förbättring | ||
Maximal spänning för grindkälla Vgs 20V | ||
Typisk grindladdning Qg @ Vgs 30nC | ||
Maximal effektförlust Pd 69.4W | ||
Minsta arbetsstemperatur -55°C | ||
Maximal arbetstemperatur 150°C | ||
Transistorkonfiguration Dubbel | ||
Bredd 3.3mm | ||
Längd 3.3mm | ||
Standarder/godkännanden No | ||
Höjd 0.73mm | ||
Antal element per chip 2 | ||
Fordonsstandard Nej | ||
Vishay Common Drain Dual N-Channel 30 V (S1-S2) MOSFET är en integrerad MOSFET med gemensam drain i en kompakt och termiskt förbättrad kapsel.
Mycket låg käll-till-källmotstånd
TrenchFET Gen IV Power MOSFET
Relaterade länkar
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 101 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSF06DN
- Vishay 4 Dubbel N Kanal, MOSFET, 6 A 60 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8, SIS9634LDN
- Vishay 2 Typ P, Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 4 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212-8 dubbel, TrenchFET
- Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel N-kanalig Mosfet, MOSFET, 13.1 A 100 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, TrenchFET
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 30 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSHA10DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 12.3 A 250 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS92DN
- Vishay Typ P Kanal, MOSFET, 111.9 A 20 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS61DN
- Vishay Typ N Kanal, MOSFET, 181.8 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSS60DN