Vishay 2 Typ N Kanal Dubbel, MOSFET, 101 A 30 V Förbättring, 8 Ben, PowerPAK 1212, SiSF06DN

Se alla MOSFET-transistor
Mängdrabatt möjlig

Antal (1 förpackning med 20 enheter)*

183,78 kr

(exkl. moms)

229,72 kr

(inkl. moms)

Add to Basket
välj eller skriv kvantitet
Tillfälligt slut
  • Leverans från den 24 maj 2027
Behöver du mer? Ange den kvantitet du behöver och klicka på "Kontrollera leveransdatum"

Enheter
Per enhet
Per förpackning*
20 - 809,189 kr183,78 kr
100 - 1807,801 kr156,02 kr
200 - 4806,432 kr128,64 kr
500 - 9805,835 kr116,70 kr
1000 +5,697 kr113,94 kr

*vägledande pris

Förpackningsalternativ:
RS-artikelnummer:
204-7260
Tillv. art.nr:
SISF06DN-T1-GE3
Tillverkare / varumärke:
Vishay
Hitta liknande produkter genom att välja ett eller flera attribut.
Välj alla

Varumärke

Vishay

Produkttyp

MOSFET

Kanaltyp

Typ N

Maximal kontinuerlig dräneringsström Id

101A

Maximal källspänning för dränering Vds

30V

Serie

SiSF06DN

Kapseltyp

PowerPAK 1212

Typ av fäste

Yta

Antal ben

8

Maximal drain-källresistans Rds

0.0045Ω

Kanalläge

Förbättring

Minsta arbetsstemperatur

-55°C

Maximal effektförlust Pd

69.4W

Typisk grindladdning Qg @ Vgs

30nC

Transistorkonfiguration

Dubbel

Maximal arbetstemperatur

150°C

Längd

3.3mm

Höjd

0.73mm

Standarder/godkännanden

No

Antal element per chip

2

Fordonsstandard

Nej

The Vishay Common Drain Dual N-Channel 30 V (S1-S2) MOSFET is an integrated common-drain n-channel MOSFETs in a compact and thermally enhanced package.

Very low source-to-source on resistance

TrenchFET Gen IV power MOSFET

Relaterade länkar